CVD/PECVD气相沉积炉

CVD/PECVD气相沉积炉简介

CVD/PECVD气相沉积炉，运用先进的等离子体化学气相沉积技术，为金属、半导体、绝缘体等材料提供高质量的薄膜沉积方案。广泛应用于微电子、光电、平板显示及储能等多个领域，满足不同行业的薄膜制备需求。

高温极限：通过HRE电阻丝加热，最高温度可达1200℃，满足多种高温沉积工艺。

智能控制：配备50段可编程自动控制系统，精确控制各项工艺参数。

安全防护：具有超温保护和漏电自动断电功能，保障操作安全。

高效散热：双层风冷结构，表面温度维持在50℃以下，确保设备稳定运行。

卓越保温：炉膛采用日本技术真空吸附成型的氧化铝多晶纤维，提供优异的保温效果。

高品质密封：304不锈钢KF快卸密封法兰，保证工艺过程的密封性。

快速升温：升温速率控制在20℃/分以内，提高生产效率。

精准控温：控温精度高达±1℃，确保薄膜质量的稳定性。

高沉积速率：采用射频辉光技术，沉积速率达到10Å/S，提升生产效率。

大面积均匀性：通过多点射频馈入和特殊气路分布，实现薄膜均匀性8%的优异指标。

高一致性：遵循半导体行业设计理念，基片间偏差低于2%，保证产品质量的一致性。

工艺稳定：设备高度稳定，确保工艺的连续性和稳定性。

高效真空系统：直连式真空泵，极限真空度可达10Pa，为高质量沉积提供优良环境。

精准流量控制：配备三路质量流量计，精确控制气体流量。

强大射频电源：等离子射频电源功率高达500W，输出频率稳定在13.56MHz±0.005%，适应多种工艺需求。

高端真空系统：提供最高真空度可达7x10-4Pa的分子泵真空系统，满足更严格的工艺需求。

混气系统：包括混气系统和质量流量计，满足复杂气体混合及流量控制需求。

高清触控屏：可选高清触控屏操作界面，提供直观便捷的操作体验。

产品名称	CVD化学气相沉积系统
产品型号	BR-CVD/PECVD
滑道	带滑道，可滑动炉膛，实现快速升温或冷却功能
加热区长度	400mm 单温区/双温区
炉管尺寸	直径60x1200mm 外径x长
炉管材质	高纯石英管
工作温度	≤1100℃
温控系统	人工智能PID仪表，自动控制温度
温控精度	±1℃ (具有超温及断偶报警功能)
加热速率	建议 0~10℃/min
加热元件	高品质电阻丝
真空系统
额定电压	单相 220V 50Hz
可通气体	氮气、氩气等惰性气体
测温元件	热电偶测温
壳体结构	双层壳体结构带风冷系统
真空法兰	带有进气口，另一端带控压阀，气动泄压阀和放气阀。
供气系统	四路精密质子流量计，通过触屏来调节气体流量
真空系统	旋片泵，真空度在空炉冷态可达1pa，真空计：进口数显真空计实时显示真空度，精度高。
气体定量系统	整体可以控制压力范围-20kpa到20kpa(相对压力)
额定电压	单相 220V 50Hz
射频电源（仅PECVD）
信号频率	13.56 MHz±0.005%
功率输出范围	500W
最大反射功率	500W
射频输出接口	50Ω,N-type,female
功率稳定度	±0.1%
谐波分量	≤-50dbc
供电电压	单相交流（187V-253V）频率50/60HZ
整机效率	>=70%
功率因素	>=90%
冷却方式	强制风冷

型号	炉管直径x加热区长度	炉管长度（mm）	功率(kW)	最高温度	气体控制	真空度
BR-CVD-60	φ60×400mm	1200	3	1200℃	3路	10Pa/7x10-3Pa
BR-CVD-80	φ80×400mm	1200	4	1200℃	3路	10Pa/7x10-3Pa
BR-CVD-100	φ80×400mm	1200	6	1200℃	3路	10Pa/7x10-3Pa

型号	炉管直径x加热区长度	功率(kW)	最高温度	频率	功率	气体控制	真空度
BR-PECVD-60	φ60×450mm	4	1200℃	13.56MHz±0.005%	300-500W	3路	10Pa/7x10-3Pa
BR-PECVD-80	φ80×450mm	5	1200℃			3路	10Pa/7x10-3Pa
BR-PECVD-100	φ100×450mm	7	1200℃			3路	10Pa/7x10-3Pa